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元件参数资料
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参数目录40304
> IXTT10N100D MOSFET N-CH 1000V 10A TO-268
型号:
IXTT10N100D
RoHS:
无铅 / 符合
制造商:
IXYS
描述:
MOSFET N-CH 1000V 10A TO-268
详细参数
数值
产品分类
分离式半导体产品 >> FET - 单
IXTT10N100D PDF
标准包装
30
系列
-
FET 型
MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 特点
耗尽模式
漏极至源极电压(Vdss)
1000V(1kV)
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C
10A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C
1.4 欧姆 @ 10A,10V
Id 时的 Vgs(th)(最大)
3.5V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs
130nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds
2500pF @ 25V
功率 - 最大
400W
安装类型
表面贴装
封装/外壳
TO-268-3,D³Pak(2 引线+接片),TO-268AA
供应商设备封装
TO-268
包装
管件
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